2024年3月19日，湖南大学段曦东教授应邀至化学学院进行交流，在化学大楼A208进行了题为“二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列和超晶格的合成”的学术报告。本次报告由化学学院院长裴勇教授主持，化学学院部分老师、研究生和本科生参加，会场座无虚席。

集成电路的飞速发展给摩尔定律带来了极大的挑战，发展新一代半导体取代问题日益严重的硅基半导体是一个基本的策略。段曦东教授从二维材料异质结和摩尔定律为背景展开了一系列的研究。从单一二维材料到半导体异质结进行发展。二维半导体由于原子级薄、表面原子级光滑、无悬空键，天然免疫短沟道效应等特征，被认为是取代硅基半导体的下-代半导体的有力候选者。并且想要取得很好的应用，需要对其化学组分和电子结构的空间分布进行调控。二维原子晶体合成面临全新的挑战。

通过发展新的合成原理和技术，克服二维材料面内生长和面外生长的竞争、生长与热刻蚀的竞争、成核随机不可控、异质结界面易合金化等挑战，控制合成二维材料过程中的成核和生长，实现了二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列、超晶格的合成。为二维材料物性研究和在器件、集成电路中的应用提供了丰富的材料平台，推动了二维材料在芯片等行业的实用化进程。

通过教授的讲解，激发了在座师生的研究兴趣，最后在问答环节，老师和同学们对横向异质结的稳定性需要考虑哪些方面因素，异质结的卷曲的程度所能达到的级别，表征的方法和结果，以及实验过程中的一些操作细节等方面进行了提问，通过教授细致的解答，加深了对该课题的认识，大家收获颇丰。